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当华夏网友和各路友商被南山系大手笔的各种新工厂建设方案给吸引的时候，南山化学那边迎来了一个重要突破。“曹总，我们的EUV光刻胶已经成功的研发出来了，最快下个月就能进入到量产。”
赖远鸿心情很是不错的来到了曹阳的办公室，亲自汇报了南山化学的重要突破。
马上就要过春节了，南山半导体那边还在担心过完年还有没有光刻胶供自己使用呢。
现在南山化学顺利的把EUV光刻胶给搞定了，再加上过往已经突破的其他种类光刻胶，可以说困扰南山半导体的光刻胶问题，已经彻底的解决了。
下一步就不仅仅是满足自己的光刻胶需求，而是要考虑把它推广到华夏所有的半导体企业进行使用。
美利坚和东瀛的光刻胶企业的好日子，要彻底的一去不复返了。
“我们自己的光刻胶的性能跟JSR等公司的同类型产品进行了对比没有？”
虽然曹阳对自己亲自参与研究的EUV光刻胶的性能很有信心，但是具体的测试工作还是赖远鸿他们在主导。
所以肯定也还是要问清楚一下的。
免得到时候南山半导体使用的过程当中出现一些问题的话，损失就非常的巨大了。
“我们的灵敏度稍微比JSR的低一些，但是对比度比它们的要高。”
“抗刻蚀比方面跟它们的基本上是一个水平，曝光宽容度也是基本相当，但是还有提升空间。”
赖远鸿一下就把主要的几个性能指标的情况给介绍了一下。
灵敏度是衡量曝光速度的指标。
光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。
南山化学生产的EUV光刻胶的灵敏度虽然略低于JSR，但是不影响使用，无非就是要多消耗一点光刻胶而已。
而对比度直接影响到胶的分辨能力。
光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度，对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
南山化学在这方面的性能，显然是很不错的。
至于抗刻蚀比，这一性能通常是以刻蚀胶的速度与刻蚀衬底材料的速度之比来表示的，又称之为选择比。
举個例子，如果某一光刻胶与硅的抗刻蚀比为10，这表明当刻蚀硅的速度为1μm/min时，光刻胶的刻蚀速度只有100nm/min。
抗刻蚀比的高低也决定了需要多厚的胶层才能实现对衬底一定深度的刻蚀。
而曝光宽容度，南山化学一上来就能做到跟JSR差不多的水平，也是非常不容易的。
这个指标有什么意义呢？
光刻时使用的曝光剂量偏离了最佳曝光剂量，仍能获得较好的图形，说明这款光刻胶具有较大的曝光宽容度。
正常情况下，光刻胶拥有一个最佳的曝光剂量，在光刻时，应该使整个晶圆包表面的曝光剂量一致，且尽可能接近最佳曝光剂量。
但是实际生产过程中，由于受外界环境的影响必然会有剂量的偏差。
曝光宽容度大的胶受曝光能量浮动或不均匀的影响较小，更适合生产需求。
所以这个指标好，对于南山半导体来说是很有意义的。
要不然你的光刻胶对工艺的要求很高的话，就会导致良品率变低，生产成本变高。
“这么说来，我们的EUV光刻胶生产出来之后，立马就可以开始取代JSR等厂家的同类产品了？”
这个问题是曹阳最关注的问题。
毕竟作为老板，肯定是要看重结果的。
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